Intel avanza en tecnología de memoria con 3D XPoint

Intel y Micron han presentado la tecnología de memoria 3D X Point, la primera categoría de memoria no-volátil presentada desde el lanzamiento de flash NAND en 1989 y con potencial para revolucionar cualquier dispositivo, aplicación o servicio que se beneficie de un rápido acceso a grandes conjuntos de datos ya que podrá ofrecer velocidades de hasta 1.000 veces superior a NAND.
La tecnología 3D XPoint combina las ventajas de rendimiento, densidad, energía, no volatilidad y coste de todas las tecnologías de memoria disponibles actualmente en el mercado. Tras más de una década de investigación y desarrollo, la tecnología 3D XPoint ha sido desarrollada desde cero para hacer frente a la necesidad de un almacenamiento y memoria no volátil y de alto rendimiento, de alta resistencia y alta capacidad a un precio asequible. Lo explica Rob Crooke, vicepresidente sénior y director general del Grupo de Soluciones de Memoria No Volátil (Non-Volatile Memory Solutions Group) de Intel:

“Durante décadas, la industria ha buscado formas de reducir el tiempo de demora entre el procesador y los datos para permitir un análisis mucho más rápido… Esta nueva clase de memoria no volátil logra este objetivo y ofrece un rendimiento que cambia las reglas del juego de las soluciones de memoria y almacenamiento».

3D XPoint es hasta 1.000 veces más rápida, posee hasta 1.000 veces mayor resistencia que NAND, y es 10 veces más densa que la memoria convencional. Además, la naturaleza no volátil de la tecnología también hace que sea una gran opción para una variedad de aplicaciones de almacenamiento de baja latencia dado que los datos no se borran cuando el dispositivo está apagado. Entre sus características principales destacan:

• Estructura matriz de cruce de puntos (Cross Point Array Structure) – Conductores perpendiculares conectan 128 millones de celdas de memoria densamente empaquetadas. Cada celda de memoria almacena un bit individual de datos. Esta estructura compacta proporciona un alto rendimiento y bits de alta densidad. 
• Apilable – Además de la apretada estructura de matriz de cruce de puntos, las celdas de memoria se apilan en múltiples capas. La tecnología inicial almacena 128Gb por dado en dos capas de memoria. Las próximas generaciones de esta tecnología pueden aumentar el número de capas de memoria, así como el tradicional escalado de tono litográfico, mejorando aún más la capacidad del sistema. 
• Selector – Se accede a las celdas de memoria, y se escribe o se lee en ellas, por medio de variaciones en la cantidad de voltaje enviado a cada selector. Esto elimina la necesidad de transistores, aumentando la capacidad a la vez que se reduce el coste. 
• Celda de rápida conmutación – Con un tamaño de celda pequeño, un selector de conmutación rápido, una matriz de puntos de cruce de baja latencia y un algoritmo de escritura veloz, la celda es capaz de cambiar de estado más rápido que cualquier otra tecnología de memoria no volátil existente hoy en día.

“Uno de los obstáculos más importantes en la informática actual es el tiempo que tarda el procesador en llegar a los datos que están en el almacenamiento”, asegura Mark Adams, presidente de Micron. “Esta nueva clase de memoria no volátil es una tecnología revolucionaria que permite un rápido acceso a enormes conjuntos de datos y permite aplicaciones completamente nuevas”.
La tecnología 3D XPoint estará disponible como muestra a finales de este año con clientes seleccionados. Intel y Micron están desarrollando productos individuales basados en esta tecnología.