DDR4 para Ultrabooks en 2015

SK Hynix, uno de los grandes especialistas mundiales en comercialización de memorias informáticas, ha presentado el módulo de memoria RAM DDR4 de más alta densidad del mercado, con 128 GB de capacidad y fabricación en procesos tecnológicos avanzados de 20 nanómetros.
Sobre la base de los procesadores Intel Broadwell, el nuevo estándar de memorias informáticas DDR4, serán otro de los componentes estrella para nuevas generaciones de Ultrabooks.
Una evolución sobre las actuales DDR3 que ofrecerán un mayor rendimiento, una mayor fiabilidad y un menor consumo. El aumento de rendimiento será de un 30 por ciento ya que podrán funcionar con frecuencias de hasta 3.200 mHz. Con voltajes permitidos de 1,2, 1,1 y 1,05 voltios, DDR4 también destaca por su menor consumo frente al 1,5 voltios estándar de las DDR3, lo que permitirá elevar la autonomía, aspecto clave en portátiles premium como Ultrabooks.
Además, estos módulos de memoria permitirán a los dispositivos tener operaciones independientes de activación, escritura, lectura o refresco de la información, y todas esas operaciones serán autónomas según los grupos con bancos de memoria, algo que hará que mejore la eficiencia y el rendimiento de este desarrollo.
El módulo de 128 Gbytes de SK Hynix funciona a frecuencias de 2.133 MHz con 64 bits de E/S y es capaz de procesar hasta 17 Gbytes de datos por segundo. Su consumo es de 1,2 V en comparación con los 1,35 voltios de los módulos estándar DDR3 actuales.
Muestra de los nuevos desarrollos DDR4 y el tope de gama de una nueva serie que también contempla tamaños de 8, 16, 32 y 64 Gbytes, la firma espera comercializados para el mercado de servidores a finales de 2014, alcanzando el sector de PCs clientes como Ultrabooks en 2015.
Samsung, otro de los grandes fabricantes de memorias, también ha anunciado aceleración de la producción de memorias DDR4, entregando formatos LRDIMMs, RDIMMs y ECC SODIMMs, en módulos con tamaños que irán de 8 a 64 Gbytes y con velocidades de 2133 a 2400 Mbps.