Intel podría abandonar el silicio para alcanzar procesos de fabricación de 7 nanómetros

Hace unos meses que Intel puso en el mercado los microprocesadores Broadwell, los primeros del mercado fabricados en procesos tecnológicos de 14 nanómetros y los chips estrella de la movilidad para 2015.
Pero la industria tecnológica no descansa y por la hoja de ruta mostrada ya sabíamos que el gigante del chip no iba a pararse ahí y contemplaba nuevos avances en los próximos años. La novedad, ha llegado del anuncio de la compañía en la reciente Solid-State Circuits Conference (ISSCC) sobre la investigación de nuevos materiales más allá del silicio para el salto a los 7 nanómetros.
El objetivo no es otro que cumplir la Ley de Moore, una ley empírica promulgada por el co-fundador de Intel, Gordon Moore, estableciendo que cada dos años se duplicaría el número de transistores en un circuito integrado. Aunque no es una norma «científica», la Ley de Moore ha provocado mejoras enormes en la fabricación de semiconductores, en la integración, tamaño, consumo y especialmente en la rebaja de precio de los chips, permitiendo extender el uso de ordenadores personales por todo el mundo.

Sin embargo, cumplir este enunciado es cada vez más difícil a medida que nos acercamos a unos límites físicos del tamaño de transistores. El mismo Moore estableció posteriormente una fecha de caducidad para su enunciado debido a los avances tecnológicos.
Avances que llegarán con la plataforma Cannonlake de 10 nanómetros a la que Intel tiene previsto saltar en 2017. Un proceso de fabricación que manteniendo el rendimiento permitirá reducir aún más el tamaño de los chips. También el precio de producción y su consumo lo que redundará en una gran autonomía en equipos portátiles y convertibles con estos chips que incluirán la CPU, GPU y controladora de memoria en la misma die, aumentando la integración de componentes y partes del chipset.

Para superar los 10 nanómetros, Intel está investigando en otro tipo de materiales más allá del silicio, como el arseniuro de indio y galio, en procesos distintos del FinFET actual, litografía y en nuevos empaquetados 3D.
Con ello pretende alcanzar procesos de fabricación increíbles de 7 nanómetros en 2019 y seguir cumpliendo la Ley de Moore cincuenta años después de su enunciado. Además de Intel, otras compañías están investigando en diversos tipos de semiconductores como base de los equipos informáticos de la próxima década. Entre ellos podemos citar el grafeno, siliceno o nanotubos de carbono.