Micron ya tiene lista la primera DRAM en nodo 1-alpha

La firma Micron se mantiene como uno de los fabricantes de memoria DRAM, y de memoria NAND Flash, más importantes del momento, una realidad que la compañía no ha hecho más que reforzar tras el anuncio de su primera memoria DRAM fabricada en nodo 1-alpha.

Entiendo que más de uno de nuestros lectores habrá levantado la ceja al leer esto y habrá pensado: ¿qué es le nodo 1-alpha? No os preocupéis, os lo vamos a explicar. El nodo 1-alpha es un proceso de fabricación que permite reducir el tamaño de los semiconductores, y que como vemos en la imagen adjunta, se asocia al proceso tradicional de 3 nm en puertas lógicas.

Los saltos a procesos más avanzados permiten reducir el tamaño de los semiconductores, y esto tiene beneficios muy importantes que no solo implican un menor impacto en la oblea, sino que también suponen otras claves importantes que dependerán del tipo de uso que vayamos a dar a esos semiconductores.

En el caso de la memoria RAM, que es el que nos ocupa, los continuos avances a nivel de proceso de fabricación permiten aumentar de forma notable la densidad de la memoria y el rendimiento de la misma, y también nos ayudan a reducir el consumo energético.

Según Micron, el salto al nodo 1-alpha ha permitido aumentar la densidad de la memoria DRAM en un 40%, y ha conseguido una reducción del consumo de un 15%. Son valores realmente buenos, y obvia decir que jugarán un papel clave para facilitar una transición más eficiente al 5G en dispositivos como smartphones y tablets, pero esto es solo la punta del iceberg.

Como podemos ver en la imagen que hemos señalado anteriormente, Micron tiene previsto dar otro salto importante en 2025 que llevará a la memoria DRAM de la compañía al nodo 1-beta. Dicho nodo se encuentra ya en una fase temprana de desarrollo, y nos colocará un paso más cerca de los límites teóricos del silicio.

Es impresionante ver la enorme evolución que ha experimentado el sector de la memoria DRAM en tan poco tiempo. A principios de 2017 estábamos utilizando el proceso 1X (10 nm). Tres años después fue posible dar el salto al proceso 1-zeta (5 nm,) y ahora ya se han empezado a suministrar las primeras unidades de DRAM en proceso 1-alpha (3 nm). Ahora mismo, la memoria DRAM basada en dicho nodo se encuentra en una etapa de mejora constante de la tasa de éxito a nivel de oblea, lo que significa que tiene por delante un periodo de evolución importante, y que no se masificará hasta 2022.