SK Hynix empieza a producir DRAM en masa bajo el proceso de 1anm

El gigante SK Hynix ha anunciado que este mismo mes ha arrancado la producción en masa de su memoria DRAM en proceso de 1anm, una tecnología que se ha aplicado, concretamente, a los chips de 8 Gb de tipo LPDDR4, es decir a chips para memoria móvil, utilizada principalmente en smartphones y tablets.

La memoria LPDDR4 tiene un peso enorme en la industria, y goza de una alta demanda, así que no es extraño que SK Hynix haya querido avanzar en proceso de fabricación. La memoria DRAM de la compañía japonesa fabricada en 1anm equivale, en resumen, al nodo de cuarta generación de 10 nm, es decir, es una profunda revisión de un proceso que ya lleva entre nosotros bastante tiempo, y que ha estado precedido por las generaciones 1x, 1y y 1z.

SK Hynix tiene previsto empezar a suministrar sus nuevos chips de DRAM en proceso 1 anm a los fabricantes a partir de la segunda mitad de este año, es decir, su disponibilidad de debería ser una realidad a corto plazo, aunque todavía no tiene fijada una fecha concreta, así que ahora mismo toca esperar. Esos chips están fabricados con litografía ultravioleta extrema para garantizar un correcto funcionamiento, una buena estabilidad y un alto rendimiento.

El uso de la litografía ultravioleta extrema se ha convertido en algo fundamental para los grandes jugadores del sector, que siguen intentando marcar la diferencia frente a sus rivales utilizando procesos y nodos innovadores y eficientes. En este sentido, SK Hynix ha confirmado que tiene pensado seguir utilizando la litografía ultravioleta extrema en todos sus próximos productos de memoria DRAM, ya que ha podido confirmar que el proceso de fabricación es totalmente estable y fiable.

La compañía surcoreana espera que la utilización de dicha litografía, y de esta nueva tecnología aplicada al nodo de fabricación (esa cuarta revisión de los 10 nm), le permitan mejorar la productividad y reducir los costes. SK Hynix está convencida de que el salto al proceso 1anm permitirá un aumento del 25% de la cantidad de chips de DRAM producidos en una misma oblea, comparado con el nodo anterior 1znm. Este aumento de producción tendrá, además, un impacto positivo a la hora de responder al aumento de la demanda de DRAM en los mercados internacionales.

Los nuevos chips funcionan de manera totalmente estable a una velocidad de 4.266 Mbps, y ha sido posible reducir el consumo de energía en un 20%. Se espera que SK Hynix aplique esa nueva tecnología de proceso de fabricación, el nodo 1anm, a sus próximos productos de memoria DDR5, un nuevo estándar que está llamado a desplazar al actual DDR4, aunque la transición no se producirá de forma inmediata, sino que será considerablemente lenta.