Samsung adelanta su hoja de ruta para la memoria DDR6

Samsung ha celebrado su evento Tech Day 2021 donde ha presentado novedades sobre el futuro de las tecnologías de memoria como DDR6 y cómo planea ejecutar su producción, otro aspecto importante en una época de falta de chips.

El lanzamiento de la duodécima generación de procesadores Core de Intel, ha llevado oficialmente a la memoria DDR5 a la corriente principal del mercado o mainstream. Desafortunadamente, la escasez de inventario que lleva presionando a la industria el último año ha impedido un lanzamiento consistente como debería corresponder a toda una generación de memorias.

Samsung, líder en semiconductores y en especial en memorias, cree que a pesar de ello el desarrollo tecnológico no debe parar y ha mostrado sus planes para el futuro a corto plazo. Si DDR5 duplicó la velocidad estándar de DDR4 marcado por la organización responsable JEDEC, aumentando de 3.200 megatransferencias por segundo (MT / s) a 6400 MT / s, Samsung apunta a duplicar nuevamente la velocidad estándar en DDR6, incrementándola a la friolera de 12,800 MT / s, que mediante técnicas de overclocking podría alcanzar hasta 17,000 MT / s.

El estándar se encuentra actualmente en las primeras etapas de desarrollo y está programado para el comienzo de su despliegue en 2024. Al igual que DDR5, DDR6 aumentará la cantidad de canales y bancos en cada módulo. Estas diferencias arquitectónicas, así como otros factores como los tiempos de la memoria, la latencia, la administración de energía y las capacidades del código de corrección de errores (ECC), son factores que Samsung ha destacado para seguir superando los límites en tecnologías de memoria.

DDR6 no es el único estándar de memoria nuevo en el horizonte. Samsung también  aludió a un mayor desarrollo del estándar GDDR6 centrado en gráficos, con una versión plus que alcanzará velocidades de hasta 24,000 MT / s. Y en el horizonte apunta GDDR7, nuevo estándar que ofrecerá tasas de 32.000 MT / s. Con GDDR7, también llegará una nueva función llamada «característica de protección contra errores en tiempo real«, que aún se desconoce. Se desconoce su función precisa, pero se supone que es una manera de añadir ECC (memoria registrada) a este estándar que se ocupa de dotar de memoria dedicada a las tarjetas gráficas.

En este sentido, Samsung también anunció que su memoria HBM3 estará lista para la producción en masa en el segundo trimestre de 2022. Ofrecerá velocidades de 800 GB / s y estará destinada principalmente a aplicaciones de inteligencia artificial.