SK hynix ha finalizado el desarrollo de la HBM3

El gigante surcoreano SK hynix ha confirmado el final del desarrollo de su memoria HBM3, todo un logro ya que esto la convierte en la primera compañía que ha sido capaz de completar con éxito esta primera etapa, y esto debería permitir, en teoría, que su entrada en fase de producción en masa se produzca a corto plazo. En este sentido es importante recordar que la surcoreana también la primera en iniciar la producción en masa de la memoria HBM2E, algo que tuvo lugar en julio del año pasado.

La nueva memoria HBM3 es, como indican sus siglas, un nuevo tipo de memoria de alto ancho de banda que mantiene las claves de las generaciones anteriores, lo que significa que se apila en 3D, y que puede alcanzar unas velocidades de transferencia muy elevadas, aunque esto depende del total de chips que hayamos apilado.

Según SK hynix la memoria HBM3 no solo es la memoria DRAM más rápida del mundo, sino que también es la que más capacidad ofrece. A todo lo anterior habría que sumar un diseño, a nivel de silicio, más pulido que se traduciría en una «mayor calidad», según ha dado a entender directamente la compañía. Si miramos sus valores en bruto, lo cierto es que impresiona, ya que tenemos una velocidad de hasta 819 GB por segundo, una cifra que supone una mejora del 78% frente al estándar HBM2E.

Interesante, pero SK hynix es consciente de que la potencia sin control no sirve de nada, y por ello ha confirmado que este nuevo tipo de memoria también cuenta con tecnología de corrección de errores. Esto hace que sea viable en cualquier ámbito profesional, incluyendo el de la investigación científica, donde se trabaja con complicadas simulaciones que deben mantener una precisión total, y que por tanto no pueden verse afectadas por el más mínimo error.

Según SK hynix, ofrecerá la memoria HBM3 en dos configuraciones distintas, una de 24 GB, que se convertirá en la más grande de la industria, y otra de 16 GB. Como en las generaciones anteriores, este estándar se conecta verticalmente utilizando la tecnología TSV («Through Silicon Via»), que une los chips de diferentes niveles mediante un electrodo que atraviesa miles de finísimos orificios presentes en esos chips.

La memoria HBM3 va dirigida a centros de datos de alto rendimiento, a plataformas de aprendizaje profundo automatizado, que permitirán crear sistemas de inteligencia artificial más avanzados, y también al sector de la supercomputación centrado en la investigación en sentido amplio, como indicamos anteriormente. Seon-yong Cha, vicepresidente ejecutivo a cargo del desarrollo de DRAM, comentó:

«Desde el lanzamiento de la primera HBM DRAM del mundo, SK hynix ha logrado desarrollar la primera HBM3 de la industria después de liderar el mercado HBM2E. Continuaremos nuestros esfuerzos para solidificar nuestro liderazgo en el mercado de memorias premium y ayudar a impulsar los valores de nuestros clientes al proporcionar productos que estén en línea con los estándares de gestión de ESG».