Intel y Toshiba presentan nuevas memorias de almacenamiento 3D

Intel y Toshiba anuncian sus nuevas tecnologías de almacenamiento de datos en capas tridimensionales. Micron e Intel han presentado su nueva memoria flash NAND 3D, mientras que Toshiba anuncia su memoria flash de 16 GB.

Así pues, la compañía japonesa Toshiba ha confirmado la primera memoria flash de 16 GB con una estructura de 48 capas tridimensionales. De esta forma, la tecnología BiCS permite agrupar la información almacenada a través de una serie de capas tridimensionales, sustituyendo los anteriores planos en dos dimensiones.

A su vez, Toshiba indica que adaptará la planta Yokkaichi Operations para fabricar semiconductores, con la intención de fabricar estas memorias 3D a partir del año que viene.

Por su parte, Intel y Micron han anunciado su nueva tecnología, bautizada como 3D NAND, con la que podrán almacenar los datos también en capas en tres dimensiones. Por tanto, la compañía norteamericana asegura que podrá guardarse más información a menor coste y a mayor velocidad.

Intel ya ha desarrollado prototipos de 32GB, mientras que en unos meses presentará unidades de 48 GB basadas en la tecnología 3D NAND. Sin embargo, a lo largo de 2016 planean fabricar discos SSD que puedan almacenar 3,5 TB y 10TB.